Производитель Номер продукта:
TSM650P02CX RFG
Product Overview
Производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Номер детали:
TSM650P02CX RFG-DG
Описание:
MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23
Подробное описание:
P-Channel 20 V 4.1A (Tc) 1.56W (Tc) Surface Mount SOT-23
Инвентаризация:
70113 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12899597
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TSM650P02CX RFG Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Taiwan Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
65mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
800mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5.1 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
515 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.56W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
TSM650
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
TSM650P02CX RFGCT
TSM650P02CXRFGCT
TSM650P02CX RFGDKR
TSM650P02CXRFGTR
TSM650P02CXRFGDKR
TSM650P02CX RFGCT-DG
TSM650P02CX RFGDKR-DG
TSM650P02CX RFGTR
TSM650P02CX RFGTR-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TSM600P03CS RLG
MOSFET P-CHANNEL 30V 4.7A 8SOP
DMG2305UX-13
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
DMP2035UVT-13
MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
